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2023-05-05 原子级芯片技术取得革命性突破

日期:2023-05-05 12:07:33 来源:都市快报橙柿互动 浏览:396次 栏目:热点

麻省理工学院(MIT)的研究团队近日成功开发出一种基于二硫化钼(MoS2)的原子级薄晶体管,这是芯片领域又一次0的突破。

如果这种原子级的薄晶体管进入量产阶段,芯片技术的发展将突破摩尔定律的天花板,在高性能计算、人工智能、物联网等领域带www.czybx.com来重大影响,并为柔性电子设备可穿戴技术智能纺织品等领域提供强大的支持。

原子级芯片技术取得革命性突破

摩尔定律是英特尔创始人之一HgQpI戈登摩尔的经验之谈,其核心内容为:集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月到24个月便会增加一倍。换言之,处理器的性能大约每两年翻一倍,白熊资讯同时价格下降为之前的一半。它并非自然科学HgQpI定律,而是一定程度上揭示了信息技术进步的速度。而发表在4月27日《自然-纳米技术》上的这篇论文,意味着革命性的技术飞跃。

原子级芯片技术取得革命性突破

传统半导体芯片由块状材料制成,呈方形的3D结构,将多层晶体管堆叠起来实现更密集的集成非常困难。

科学家们于是想到用超薄的二维材料制成半导体晶体管,每个只有3个原子厚,这样就能堆叠起来制造更强大的芯片了。

然而将二维材料直接生长到硅CMOS晶圆上是一项重大挑战,因为这个过程需要大约600摄氏度的温度,而硅晶体管和电路在加热到400摄氏度以上时就可能会损坏。

麻省理工电气工程和计算机科学研究生朱佳迪(Jiadi Zhu,该论文第一作者)和同事,开发出了一种新技术,将低温生长区与高温硫化物前体分解区分离,可以通过金属有机化学气相沉积法,以低于300℃的温度合成二维材料,并直接在8英寸的二硫化钼薄膜CMOS晶圆上生长,无需任何转移过程。

更加令人惊叹的是,这种方法不仅能生长出光滑、高度均匀的层,而且将此前需要超过一天的时间,降低到不足一个小时。

与现有的硅基晶体管相比,这种原子级薄晶体管具有更高的集成度和性能。它不仅可以在更小的面积上集成更多的晶体管,还能实现更高的电子迁移率。研究团队在论文中报告了实现的电子迁移率约为35.9 cm/Vs,这表明该原子级薄晶体管在性能上具有很大的优势。原文概述如下:

我们进行了一种低热预算合成方法(生长温度

我们设计了一个金属-有机化学气相沉积反应器,将低温生长区与高温硫族化合物前体分解区分离。

我们获得了在200上具有电均匀性的单层MoS2 毫米晶圆,以及电子迁移率约为35.9的高材料质量 平方厘米 电压−1 s−1。

最后,我们展示了MoS2晶体管的硅CMOS兼容BEOL制造工艺流程;这些硅器件的性能退化可以忽略不计(电流变化

我们认为,这是迈向未来电子产品单片3D集成的重要一步。

这意味着以后造芯片,或许可以像建大楼一样,把二维材料一www.czybx.com层层地堆砌上去,为更密集、更强大的芯片铺平道路。

研究人员正在微调他们的技术,希望用它来生长更多堆叠的二维晶体管层。此外,他们还想探索低温生长过程在柔性表面(如聚合物、纺织品甚至纸张)中的应用,这样就可以将半导体集成到衣服或笔记本等日常用品上了。

论文:https://www.nature.com/articles/s41565-023-01375-6

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文章标题: 2023-05-05 原子级芯片技术取得革命性突破

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