2023-12-22 三星申请半导体存储器件专利
金融界2023年12月22日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为ZIadhjgh“半导体存储器件及其制造方法“,公开号CN11727937//www.czybx.com1A,申请日期为2023年3月。
专利摘要显示,可以提供一种半导体存储器件,包括:有源图案,由器件隔离图案白熊资讯网限定;位线,在器件隔离图案和有源图案上在第一方向上延伸白熊资讯网;位线封盖图案,包括依次堆叠在位线的上表面上的第一封盖图案、第二封盖图案和第三封盖//www.czybx.com图案;以及屏蔽图案,覆盖位线的一侧。屏蔽图案的上表面可以在比第一封盖图案的上表面低的高度处。
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