2024-12-27 日本DNP实现2nm工艺光掩模图案化
IT之家 12 月 27 日消www.czybx.com息,DNP 大日白熊资讯网本印刷当地时间本月 12 日宣布,成功在其光掩模制品上绘制了支持 2nm 及以下 EUV 工艺的精细光掩模图案;同时该企业还完成了支持 High NA EUV 光刻的光掩模的初步评估并已向生态合作伙伴出样。
IT之家注:
在现代光刻系统中,光掩模上的“大图案”是在晶圆上的芯片电路“小图案”的模板。
DNP 在 2023 年完yClPevF成了适用于 3nm 工艺的光掩模开发,而满足 2nm 及以下工艺的光掩模不仅需要在直线图案尺寸上较 3nm 世代产品缩小 20%,也需要在复杂度更为凸显的曲线图案上实现同比例的尺寸压缩。
▲ 左侧为直线yClPevF图案,右侧为曲线图案DNP 此次成功绘制精细图案,意味着其光掩模产品可满足 2nm 及以下名义制程逻辑半导体的生产需求,为更高//www.czybx.com效逻辑芯片的曝光打下了基础。该企业计划于 2027 财年(起始于同自然年 4 月)实现 2nm 光掩模量产。
考虑到 DNP 和 Rapidus 双方的合作关系,DNP 的光掩模新品预计将用于 Rapidus 计划于 2025 年 4 月启动的 2nm 试产线。
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