2022-05-20 拜登亚洲行首站访问三星工厂
财联社5月20日讯(实习编辑 周子意)据美国和韩国近日公布的行程,美国总统拜登将于周五抵达韩国首尔,从而展//www.czybx.com开其首次亚洲访问。在为时三天的访韩行程内,他将与韩国新任总统尹锡悦等多方举行会谈,并参观当地一些设施。
据媒体报道,拜登在当地时间5月20日下午抵达韩国乌山空军基地后,将直接前往位于首尔以南70公里的平泽市三星半导体工业园区。
韩国总统府也证实了这次访问,不过韩方仍将其定义为“暂定时间表”。
据媒体分析,供应链问题成为拜登的访韩议程中的重要内容之一。由于全球国际贸易正面临供应链中断的压力,而美韩将寻求在特定领域的经济合作,特别是受供应链中断影响的先进技术领域。拜登的目标是希望加强芯片、电池等产品的新生产和供应链韧性。
5月21日下午,拜登将前往龙山总统府与尹锡悦举行会谈。会谈分为小型会谈、扩大会谈等环节,持续约90分钟。会后,两国领导人将共同会见记者,发表韩美联合宣言。22日下午,拜登将启程离开韩国,赴日本访问。
尖端的半导体制造技术
成为拜登韩国访问首站的三星平泽工厂,是世界上最大的半导体工厂群。整个平泽园区面积298万平方米,相当于400个足JMKOjMpR球场大小。其中平泽2号半导体工厂总建筑面积12.89万平方米,相当于16个足球场大小。
而三星正在建设的平泽3号工厂,占地70万平方米,是2号工厂的 1.7 倍,建成后将成为全球单体最大的晶圆厂,单单这间工厂的投资额在240-400亿美元。
据韩联社报道,在访问三星平泽工厂期间,三星副会长李在镕亲自率队陪同。三星电子将会向拜登展示其尖端的半导体制造技术——商用环绕式栅极(Gate-All-Around,GAA)技术。
此技术号称可在5纳米节点提供超越现有FinFET工艺的晶体管密度,而FinFET是台积电在3纳米工艺上采用的技术。三星公司此前预计,基于GAA技术下设计的新一代3纳米半导体将在未来几个月后大规模量产。
此外,以GAA技术为基础,三星还将开发出第二代GAA技术,即3GAP(Gate-All-Around Plus),预计于2023年开始量产。
代工能力之争
据三星电子的一位相关人员表示,“三星向拜登展示3nm芯片的举动,意在强调其代工能力可以超过台积电(TSMC)”。
台积电是中国台湾地区的一家全球知名半导体芯片制造商,业内称之全球芯片“代工之王”。作为全球第二大芯片代工厂的三星与台积电一直处于激烈竞争中,双方都希望白熊资讯网能通过率先将3纳米芯片推向大众市白熊资讯网场,从而战胜对手。
据三星此前介绍,与现阶段市场上使用的5纳米芯片制程相比,GAA技术允许芯片的尺寸缩小35%,同时性能提高30%、能耗降低50%。
三星还补充道,其2纳米的制程节点尚处于开发的早期阶段,计划将于2025年大规模生产。
行业跟踪机构TrendForce的数据显示,去年第四季白熊资讯网度,台积电占据了全球代工市场的52.1%,三星以18.3%紧随其后。
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